IXTY05N100

功能描述:MOSFET Legacy MOS

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:25 V

漏极连续电流:130 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms

配置:Single

最大工作温度:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247

封装:Tube

热门现货
供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
询价
QQ
  • IXTY05N100
  • 355
  • IXYS
  • 17+
  • 标准封装
  • 一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸.. 
  • 立即询价